IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
應用於高介電值基板之大面積空氣介電層製程
坤德股份有限公司
案號 0921006612003-01-14IPC H01L21/76
半導體元件的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921004752003-01-10IPC H01L21/76
淺溝渠隔離結構之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921003032003-01-08IPC H01L21/76
一種雙鑲嵌製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921002722003-01-07IPC H01L21/768
避免蝕刻停止層被蝕穿的鑲嵌製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921001282003-01-03IPC H01L21/768
電晶體接觸窗之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921001502003-01-03IPC H01L21/768
控制導線片電阻之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921001492003-01-03IPC H01L21/76
位元線的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911381022002-12-31IPC H01L21/768
在半導體元件上形成銅配線的方法
美格納半導體有限公司
案號 0911379682002-12-31IPC H01L21/768
半導體裝置之多層金屬線的形成方法（二）
南韓商啟方半導體有限公司
案號 0911378672002-12-30IPC H01L21/768
半導體裝置之多層金屬線的形成方法（一）
美格納半導體有限公司
案號 0911378662002-12-30IPC H01L21/768
緊密單元之製造方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0911378532002-12-30IPC H01L21/76
凸塊製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0911378152002-12-30IPC H01L21/768
半導體元件之接觸孔之形成方法
南韓商啟方半導體有限公司
案號 0911377472002-12-27IPC H01L21/768
基板之處理裝置及方法
荏原製作所股份有限公司
案號 0911376212002-12-27IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
東芝記憶體股份有限公司
案號 0911375322002-12-26IPC H01L21/768
具有改良阻障特性之阻障堆疊
億恒科技公司
案號 0911374822002-12-26IPC H01L21/76
具有氮化物層之高介電值閘介電體之製造方法
高級微裝置公司
案號 0911374222002-12-26IPC H01L21/76
淺溝渠隔離區的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911372662002-12-25IPC H01L21/76
半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911370962002-12-24IPC H01L21/768