IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
銅互連線及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911373702002-12-24IPC H01L21/768
藉由金屬鑲嵌法所形成之積體被動裝置
尖端科技材料公司
案號 0911371422002-12-24IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911371412002-12-24IPC H01L21/76
遮蔽具有大寬高比的結構中的凹處之方法
億恒科技公司
案號 0911371272002-12-24IPC H01L21/76
導孔填充方法
希普列公司
案號 0911367782002-12-20IPC H01L21/768
具有絕緣體之半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911366112002-12-19IPC H01L21/76
具有低Ｋ值電介質特性之互連線結構的製造方法
蘭姆研究公司
案號 0911367532002-12-19IPC H01L21/768
使用介電阻障層之金屬製程及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911366892002-12-19IPC H01L21/768
用於改善淺溝隔離結構角部圓角化之淺溝隔離法與其電晶體結構
美商英飛凌科技有限責任公司
案號 0911366172002-12-19IPC H01L21/76
具有埋設金屬矽化物位元線之金屬氧氮氧半導體（ＭＯＮＯＳ）裝置
賽普拉斯半導體公司
案號 0911364672002-12-18IPC H01L21/76
在半導體裝置形成金屬互連層之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364282002-12-17IPC H01L21/768
半導體元件中形成隔離區的方法
東部電子股份有限公司
案號 0911364452002-12-17IPC H01L21/76
半導體元件中形成隔離層之方法
東部電子股份有限公司
案號 0911364432002-12-17IPC H01L21/76
在半導體裝置中形成複數層導電線之方法
美格納半導體有限公司
案號 0911364332002-12-17IPC H01L21/768
在半導體裝置內形成銅金屬線的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364192002-12-17IPC H01L21/768
防止位元線之間短路的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911363012002-12-16IPC H01L21/768
結合及轉移材料以形成半導體裝置之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0911362582002-12-16IPC H01L21/762
使用多孔質層間電介體及相關結構以形成電路網之方法
高級微裝置公司
案號 0911360652002-12-13IPC H01L21/76
多孔低介電質互連結構
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0911361262002-12-13IPC H01L21/768
減少半導體元件產生淺溝渠隔離凹陷效應之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0911360792002-12-13IPC H01L21/76