IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
形成金屬-絕緣體-金屬電容之方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921340762003-12-03IPC H01L21/76
溝渠的後處理方法與裝置
茂德科技股份有限公司
案號 0921337922003-12-02IPC H01L21/76
具有不同程度之圓角之半導體裝置之溝槽分隔結構及其製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921336632003-12-01IPC H01L21/762
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921332902003-11-27IPC H01L21/762
於半導體互連線結構上沉積一金屬層之方法
萬國商業機器公司
案號 0921333412003-11-27IPC H01L21/768
於具一封蓋層半導體互連線結構上沉積一金屬層之方法
萬國商業機器公司
案號 0921333882003-11-27IPC H01L21/768
具有空隙之雙金屬鑲嵌製程及結構
高級微裝置公司
案號 0921328612003-11-24IPC H01L21/764
形成窄溝槽結構之方法及具有窄間距之閘極結構形成方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921325072003-11-20IPC H01L21/76
淺溝渠隔離結構及其溝渠的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921325112003-11-20IPC H01L21/76
具有不會發生凹陷（ＤＩＶＯＴ）之淺溝槽隔離結構（ＳＴＩ）之半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921323742003-11-19IPC H01L21/76
接觸窗之形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921321032003-11-17IPC H01L21/768
利用離子佈植以薄化氧化層之領氧化層製程
茂德科技股份有限公司
案號 0921319362003-11-14IPC H01L21/76
金屬，特別是銅電披覆方法、其應用方法及積體電路裝置
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921320862003-11-14IPC H01L21/768
用以改善腐蝕以及熱阻抗、具有多層金屬膜堆疊之內連線
傑能基金公司
案號 0921319322003-11-14IPC H01L21/768
半導體內連線之平坦化方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921318162003-11-13IPC H01L21/768
製作可變電容的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921315642003-11-11IPC H01L21/762
金屬內連線製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921314802003-11-11IPC H01L21/768
ＩＣ裝置及其製造方法
曾世憲
案號 0921313702003-11-10IPC H01L21/768
在預清潔製程中防止間隙壁底切之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921312712003-11-07IPC H01L21/76
具擴散阻障層之閘極結構與製程
上海宏力半導體製造股份有限公司
案號 0921311922003-11-07IPC H01L21/762