IPC C09G1/02 專利列表
共 22 筆結果
移除模組阻障層之研磨漿液
羅門哈斯電子材料ＣＭＰ控股公司
案號 0931051912004-02-27IPC C09G1/02
製造固定研磨材料之方法
陶氏全球科技股份有限公司
案號 0931042632004-02-20IPC C09G1/02
混合研磨劑拋光組合物及使用彼等之方法
美商ＣＭＣ材料股份有限公司
案號 0931029242004-02-09IPC C09G1/02
用於銅表面之化學機械研磨之腐蝕延緩研磨漿體
匹斯洛奎斯特公司
案號 0921291662003-10-21IPC C09G1/02
利用兩親性非離子界面活性劑之化學機械拋光法
美商ＣＭＣ材料股份有限公司
案號 0921281502003-10-09IPC C09G1/02
研磨液組合物
花王股份有限公司
案號 0921270612003-09-30IPC C09G1/02
含甲醇且以矽石為主之ＣＭＰ組合物
卡博特微電子公司
案號 0921248772003-09-08IPC C09G1/02
在化學機械平坦化作用期間減少表面凹陷及磨蝕作用的方法
片片堅俄亥俄州工業公司
案號 0921213962003-08-05IPC C09G1/02
研磨液組合物
花王股份有限公司
案號 0921206772003-07-29IPC C09G1/02
半導體用研磨劑，其製造方法及研磨方法
日商清美化學股份有限公司
案號 0921199922003-07-22IPC C09G1/02
用於以SiO2為主之基質之改良拋光配方
聖高拜陶器塑膠公司
案號 0921191302003-07-14IPC C09G1/02
供低Ｋ介電材料用之化學機械研磨方法
美商ＣＭＣ材料股份有限公司
案號 0921154192003-06-06IPC C09G1/02
半導體裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921064982003-03-24IPC C09G1/02
供化學機械拋光用之催化性組成物，使用彼之方法及受彼處理過的基質
慧盛材料美國責任有限公司
案號 0921027752003-02-11IPC C09G1/02
含經氧化鈰塗覆的矽粉之水性分散液，彼之製法及用途
贏創德固賽有限責任公司
案號 0921019992003-01-29IPC C09G1/02
含甲醇之以二氧化矽為基礎之化學機械拋光組合物
卡博特微電子公司
案號 0921019532003-01-29IPC C09G1/02
利用含胺聚合物之ＣＭＰ系統和方法
美商ＣＭＣ材料股份有限公司
案號 0921007732003-01-15IPC C09G1/02
用於金屬及金屬／介電結構之化學機械研磨之組成物
拜耳廠股份有限公司
案號 0911374012002-12-26IPC C09G1/02
用於銅之化學機械平坦化的組合物
依凱希科技公司
案號 0911357432002-12-10IPC C09G1/02
使用聚合複合劑進行銅之化學機械拋光之方法
美商ＣＭＣ材料股份有限公司
案號 0911338292002-11-20IPC C09G1/02