IPC H01L21/00 專利列表
共 396 筆結果
製造具溝槽之半導體結構，尤其是用於製造溝槽電容器之方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921202922003-07-24IPC H01L21/00
電化學製程室
應用材料股份有限公司
案號 0921201212003-07-23IPC H01L21/00
提高蝕刻後關鍵尺寸均勻性之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921201472003-07-23IPC H01L21/00
形成具有改良電性之薄閘極與電容器介電質的蒸氣氧化法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921195842003-07-17IPC H01L21/00
氣體分佈裝置及其氣體分佈模組
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921193712003-07-16IPC H01L21/00
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921194242003-07-16IPC H01L21/00
處理基板之裝置及方法
ＳＣＰ德國有限公司
案號 0921192672003-07-15IPC H01L21/00
負載埠裝置及使用該裝置的方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921193012003-07-15IPC H01L21/00
供一處理室減壓排氣用的熱處理裝置及方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921193002003-07-15IPC H01L21/00
回填半導體晶圓處理室之裝置及方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921192992003-07-15IPC H01L21/00
熱處理系統及可組合垂直室
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921192982003-07-15IPC H01L21/00
冷卻一熱處理裝置之系統及方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921192972003-07-15IPC H01L21/00
用以支撐半導體晶圓的方法及裝置
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921192942003-07-15IPC H01L21/00
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921192582003-07-15IPC H01L21/00
成膜裝置及其所使用之原料供給裝置，氣體濃度測定方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921189202003-07-10IPC H01L21/00
成膜裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921188562003-07-10IPC H01L21/00
製造液晶顯示裝置的方法
ＬＧ顯示器股份有限公司
案號 0921187042003-07-09IPC H01L21/00
可利用附有有效期限半導體限時開關功能之裝置及半導體積體電路
東芝股份有限公司
案號 0921186262003-07-08IPC H01L21/00
光電裝置，使用該光電裝置的太陽能電池及光偵測器
奎那諾股份有限公司
案號 0921186442003-07-08IPC H01L21/00
含有外延矽尖端之超薄本體矽上氧化物裝置之方法及藉該方法製得之物品
英特爾公司
案號 0921186092003-07-08IPC H01L21/00