IPC H01L21/205 專利列表
共 103 筆結果
氣動行星式旋轉裝置及形成碳化矽層之方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921012322003-01-21IPC H01L21/205
使用磁場沉積薄膜之方法
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921009772003-01-17IPC H01L21/205
成膜用處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921010072003-01-17IPC H01L21/205
先進線後端互連結構中之雙層高密度電漿化學蒸氣沉積／電漿增進化學蒸氣沉積蓋罩及其方法
萬國商業機器公司
案號 0921005212003-01-10IPC H01L21/205
低介電常數層之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921003642003-01-08IPC H01L21/205
沈積溫度的檢測方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921003042003-01-08IPC H01L21/205
晶膜生長方法
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921000442003-01-02IPC H01L21/205
在非Ⅲ-Ⅴ族基板上沉積Ⅲ-Ⅴ族半導體薄膜之方法
愛斯特隆公司
案號 0911359792002-12-12IPC H01L21/205
諸如鍺矽碳化物波導之波導及其製作方法
應用材料股份有限公司
案號 0911358882002-12-11IPC H01L21/205
利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程
國立交通大學
案號 0911347602002-11-28IPC H01L21/205
冷凝閘裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911345332002-11-27IPC H01L21/205
形成含矽薄膜之方法與設備
應用材料股份有限公司
案號 0911345292002-11-27IPC H01L21/205
形成導電層之方法，由該方法形成之導電層，及含有該層之材料
柯尼卡股份有限公司
案號 0911341992002-11-25IPC H01L21/205
改善非晶矽薄膜基板之製程方法
財團法人工業技術研究院
案號 0911341492002-11-25IPC H01L21/205
半導體裝置及其製程
夏普股份有限公司
案號 0911340962002-11-22IPC H01L21/205
以氧氣補充之操作製程
應用材料股份有限公司
案號 0911341292002-11-22IPC H01L21/205
製造半導體裝置之方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0911333032002-11-13IPC H01L21/205
發熱體化學氣相沉積（ＣＶＤ）裝置及使用該裝置之發熱體化學氣相沉積方法
安內華股份有限公司
案號 0911332892002-11-13IPC H01L21/205
用於高Ｋ閘氧化物上鐵電薄膜的有機金屬化學汽相沈積之種子層製法
夏普股份有限公司
案號 0911329352002-11-08IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911325862002-11-05IPC H01L21/205