IPC H01L21/205 專利列表
共 103 筆結果
用於利用遠矩電漿以沈積薄膜在晶圓上之裝置及方法
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921088742003-04-17IPC H01L21/205
處理裝置、處理方法及載置構件
東京威力科創股份有限公司
案號 0921088002003-04-16IPC H01L21/205
改善晶圓表面平坦度的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921079882003-04-08IPC H01L21/205
製造半導體裝置之方法及設備
Ｆ Ｔ Ｌ 股份有限公司
案號 0921073962003-04-01IPC H01L21/205
薄膜製造裝置
愛發科股份有限公司
案號 0921074022003-04-01IPC H01L21/205
電子裝置材料之製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921074322003-03-31IPC H01L21/205
成膜裝置及成膜方法
愛發科股份有限公司
案號 0921069912003-03-27IPC H01L21/205
ＣＶＤ裝置及使用該ＣＶＤ裝置之清潔方法
日商佳能安內華股份有限公司
案號 0921067372003-03-26IPC H01L21/205
化學汽相沈積製程用之氣體加熱設備及利用該設備之半導體裝置製造方法
周星工程股份有限公司
案號 0921064582003-03-21IPC H01L21/205
ＣＶＤ薄膜之堆積方法
渡邊商行股份有限公司
案號 0921058772003-03-18IPC H01L21/205
氣化器與使用該氣化器之各種裝置、以及氣化方法
渡邊商行股份有限公司
案號 0921058762003-03-18IPC H01L21/205
高Ｋ介電薄層及其形成方法
恩智浦美國公司
案號 0921056142003-03-14IPC H01L21/205
形成不同厚度氮化層之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921054532003-03-13IPC H01L21/205
磷化硼系半導體層之氣相成長方法
昭和電工股份有限公司
案號 0921036782003-02-21IPC H01L21/205
適於使用在長波垂直空腔表面發射隧道接合面之碳摻雜GaAsSb
斐尼莎公司
案號 0921036502003-02-21IPC H01L21/205
第Ⅲ族氮化物半導體結晶、其製造方法、第Ⅲ族氮化物半導體磊晶晶圓
豐田合成股份有限公司
案號 0921030312003-02-14IPC H01L21/205
由超高真空化學氣相沉積製造之應變矽型層及其中之裝置
萬國商業機器公司
案號 0921023862003-02-06IPC H01L21/205
蓮蓬頭式氣體供應器及具有蓮蓬頭式氣體供應器之半導體裝置製造設備
周星工程股份有限公司
案號 0921023382003-01-29IPC H01L21/205
用於半導體處理室之物件以及製造該物件的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921017452003-01-27IPC H01L21/205
３－５族化合物半導體，製造彼之方法，及使用彼之化合物半導體元件
住友化學工業股份有限公司
案號 0921017262003-01-27IPC H01L21/205