IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
摻雜矽玻璃的製造方法及介電層的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921212542003-08-04IPC H01L21/205
藉由稀釋氣體濺射去除電漿沉積表面層
維瑞安半導體設備公司
案號 0921211072003-08-01IPC H01L21/20
具有增強調整範圍之微機電變容二極體
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0921208002003-07-30IPC H01L21/20
磊晶晶圓製造裝置及晶圓承載器構造
小松電子金屬股份有限公司
案號 0921206182003-07-29IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921205072003-07-28IPC H01L21/20
在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法
國立交通大學
案號 0921205012003-07-28IPC H01L21/20
支撐頂針之下拉機構
中華映管股份有限公司
案號 0921200162003-07-22IPC H01L21/205
電漿處理裝置
三菱重工業股份有限公司
案號 0921199942003-07-22IPC H01L21/205
利用胺基甲矽烷和臭氧於低溫沈積介電質的方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921195802003-07-17IPC H01L21/205
製造設備
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921195752003-07-17IPC H01L21/20
用於薄膜沉積設備的蒸餾器
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921193692003-07-16IPC H01L21/205
半導體裝置製造期間釋放壓力之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194202003-07-16IPC H01L21/205
具有射頻電源供應單元之雙頻式真空沈積設備
顯像製造服務股份有限公司
案號 0921191122003-07-14IPC H01L21/205
製造薄膜電晶體之方法
傑能基金公司
案號 0921189712003-07-11IPC H01L21/20
磊晶成長用矽晶圓及磊晶晶圓以及其製造方法
信越半導體股份有限公司
案號 0921190522003-07-11IPC H01L21/208
離子化物理氣相沈積製程及其設備
茂德科技股份有限公司
案號 0921188262003-07-10IPC H01L21/203
用於化合物半導體發光裝置之磊晶生基材、製造彼之方法及發光裝置
住友化學工業股份有限公司
案號 0921185062003-07-07IPC H01L21/20
半導體製程技術中以非共形沉積鉛直圖案化基板之方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921184292003-07-04IPC H01L21/205
蒸發液體反應物之斷續式供應方法與裝置
荷蘭商ＡＳＭ ＩＰ控股公司
案號 0921181772003-07-03IPC H01L21/205
砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法
國立交通大學
案號 0921179292003-07-01IPC H01L21/203