IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
垂直流旋轉盤反應器之烷推送流
維克儀器公司
案號 0921250712003-09-10IPC H01L21/205
半導體元件中形成高介電層的方法
三星電子股份有限公司
案號 0921248282003-09-09IPC H01L21/20
具阻抗匹配功能的電漿裝置與方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921246042003-09-05IPC H01L21/205
半導體基板的製造方法，半導體基板及半導體裝置
夏普股份有限公司
案號 0921246572003-09-05IPC H01L21/20
沉積薄膜於基板上之方法
康寧公司
案號 0921247872003-09-05IPC H01L21/208
流動型薄膜沉積設備及其注射器組件
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921243142003-09-03IPC H01L21/20
在複合基材上之準垂直功率半導體元件
Ｓ Ｏ Ｉ Ｔ Ｅ Ｃ 矽絕緣體科技公司
案號 0921241972003-09-02IPC H01L21/203
使用ＣＵ２Ｓ之金屬有機化學氣相沈積方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921238882003-08-29IPC H01L21/205
電子元件基板構造及電子元件
ＴＤＫ股份有限公司
案號 0921239072003-08-29IPC H01L21/20
薄膜沈積裝置及快速切換來源氣體供應之方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921237522003-08-28IPC H01L21/20
氮化物半導體基板
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921234672003-08-26IPC H01L21/205
降低沉積反應室腔體內氟殘留的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921231242003-08-22IPC H01L21/205
矽磊晶晶圓的製造方法
信越半導體股份有限公司
案號 0921232152003-08-22IPC H01L21/205
物理氣相沉積除氣裝置與其使用方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921230682003-08-21IPC H01L21/203
AlGaN層或AlGaN多層結構之MBE成長
夏普股份有限公司
案號 0921228952003-08-20IPC H01L21/20
半導體裝置之製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921225112003-08-15IPC H01L21/205
改良具有ＳｉＧｅ膜之半導體基板的方法與使用該方法所製造之半導體裝置
夏普股份有限公司
案號 0921225562003-08-15IPC H01L21/20
絕緣體外延半導體之裝置及方法
英特爾公司
案號 0921223702003-08-14IPC H01L21/20
結晶質半導體材料之製造方法及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921220062003-08-11IPC H01L21/20
電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921214612003-08-06IPC H01L21/20