IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
電漿處理裝置及電漿處理方法，電漿成膜裝置及電漿成膜方法
三菱重工業股份有限公司
案號 0921165412003-06-18IPC H01L21/205
Ｎ型半導體鑽石製造方法及半導體鑽石
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921165382003-06-18IPC H01L21/20
晶圓電位或溫度之測定方法及裝置
三菱重工業股份有限公司
案號 0921163932003-06-17IPC H01L21/205
使用原子層沉積形成二氧化矽層於基底的方法與利用前述方法形成的半導體元件
三星電子股份有限公司
案號 0921163632003-06-17IPC H01L21/205
介電薄膜
應用材料股份有限公司
案號 0921160972003-06-13IPC H01L21/205
濺射標靶監視系統
塔沙ＳＭＤ公司
案號 0921159482003-06-12IPC H01L21/203
在記憶體裝置中形成奈米晶體之方法
美商ＶＬＳＩ科技有限責任公司
案號 0921156882003-06-10IPC H01L21/205
一種ＬＰＣＶＤ反應器之抽氣系統
聯華電子股份有限公司
案號 0921156102003-06-09IPC H01L21/20
處理裝置之多變量解析模型作成方法、處理裝置用之多變量解析方法、處理裝置之控制裝置、處理裝置之控制系統
東京威力科創股份有限公司
案號 0921152892003-06-05IPC H01L21/205
形成不具孔洞之介電層的溝填方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921148542003-05-30IPC H01L21/205
氣相成長裝置及氣相成長方法
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921144132003-05-28IPC H01L21/20
氣相成長設備
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921144112003-05-28IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法及半導體裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0921138872003-05-22IPC H01L21/205
鈍化半導體基底之方法
歐提比太陽能有限公司
案號 0921137432003-05-21IPC H01L21/205
藉由化學汽相沈積以沈積氧化物膜之方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921136282003-05-20IPC H01L21/205
主動矩陣顯示裝置及其製造方法
統寶香港控股有限公司
案號 0921134702003-05-19IPC H01L21/20
蒸鍍方法，蒸鍍裝置及製造發光裝置的方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921131182003-05-14IPC H01L21/205
具有鬆弛的薄膜層結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921121052003-05-02IPC H01L21/20
原地熱室清潔
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921102022003-04-30IPC H01L21/205
用於分離材料層之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921100842003-04-30IPC H01L21/203