IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
電漿增強型化學氣相沉積系統中改善薄膜均勻度的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921095352003-04-24IPC H01L21/205
在製程中半導體基板之近邊緣區域形成薄膜之方法與裝置
阿奎科技美國股份有限公司
案號 0921092912003-04-22IPC H01L21/205
氧化物電介質膜之汽相生長方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921094262003-04-22IPC H01L21/205
用於利用遠矩電漿以沈積薄膜在晶圓上之裝置及方法
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921088742003-04-17IPC H01L21/205
調整電漿強化半導體晶圓處理系統之射頻匹配網路的方法與設備
應用材料股份有限公司
案號 0921088492003-04-16IPC H01L21/20
處理裝置、處理方法及載置構件
東京威力科創股份有限公司
案號 0921088002003-04-16IPC H01L21/205
改善晶圓表面平坦度的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921079882003-04-08IPC H01L21/205
無電極沈積方法
應用材料股份有限公司
案號 0921075272003-04-02IPC H01L21/208
製造半導體裝置之方法及設備
Ｆ Ｔ Ｌ 股份有限公司
案號 0921073962003-04-01IPC H01L21/205
薄膜製造裝置
愛發科股份有限公司
案號 0921074022003-04-01IPC H01L21/205
電子裝置材料之製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921074322003-03-31IPC H01L21/205
半導體裝置之製造裝置及製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921071302003-03-28IPC H01L21/203
成膜裝置及成膜方法
愛發科股份有限公司
案號 0921069912003-03-27IPC H01L21/205
ＣＶＤ裝置及使用該ＣＶＤ裝置之清潔方法
日商佳能安內華股份有限公司
案號 0921067372003-03-26IPC H01L21/205
利用低酸銅浴之添加劑於極高深寬比之結構中填充之製程窗
應用材料股份有限公司
案號 0921065482003-03-24IPC H01L21/208
化學汽相沈積製程用之氣體加熱設備及利用該設備之半導體裝置製造方法
周星工程股份有限公司
案號 0921064582003-03-21IPC H01L21/205
半導體裝置以及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921061622003-03-20IPC H01L21/20
於積體電路中含矽導體區域形成改良之金屬矽化物部分之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921059902003-03-19IPC H01L21/20
ＣＶＤ薄膜之堆積方法
渡邊商行股份有限公司
案號 0921058772003-03-18IPC H01L21/205
行星式剝離氣相沈積系統
費洛鐵股份有限公司
案號 0921059082003-03-18IPC H01L21/203