IPC H01L21/22 專利列表
共 24 筆結果
除去摻雜區上之自然氧化層的方法，以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921351852003-12-12IPC H01L21/223
側向擴散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）電晶體和其製法
洛維克收購有限責任公司
案號 0921326172003-11-20IPC H01L21/22
基板處理裝置
日商國際電氣股份有限公司
案號 0921313572003-11-10IPC H01L21/22
氧架橋結構與方法
ＡＳＭ國際股份有限公司
案號 0921297112003-10-27IPC H01L21/22
電漿摻雜方法及電漿摻雜裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0921271872003-10-01IPC H01L21/22
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921237932003-08-28IPC H01L21/22
用以改善短通道效應之逆增式濃度通道摻雜方法
高級微裝置公司
案號 0921231102003-08-22IPC H01L21/22
摻雜界面的形成
英特爾公司
案號 0921227482003-08-19IPC H01L21/22
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921199362003-07-22IPC H01L21/22
微晶片製造中金屬氧化物表面處理之罩幕應用
億恆科技股份公司
案號 0921182512003-07-03IPC H01L21/22
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921179692003-07-01IPC H01L21/22
形成矽化鈷的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921151982003-06-05IPC H01L21/22
使用拋棄式間隙側壁之輕摻雜汲極製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921136742003-05-21IPC H01L21/22
決定半導體晶圓摻雜濃度之裝置及方法
固態量測股份有限公司
案號 0921079322003-04-07IPC H01L21/22
基板處理裝置
日商國際電氣股份有限公司
案號 0921077242003-04-04IPC H01L21/22
半導體裝置的製造方法
日商國際電氣股份有限公司
案號 0921076132003-04-03IPC H01L21/22
利用加熱引發化學反應與擴散之化合物半導體及化合物絕緣體的製造方法，以此方法所得之化合物半導體及化合物絕緣體，以及應用該些材料的光電池、電子電路、電晶體及記憶體
三星電子股份有限公司
案號 0921070582003-03-28IPC H01L21/225
薄膜半導體磊晶基材及其製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0921055112003-03-13IPC H01L21/22
完全空乏型絕緣層上覆矽結構之摻雜方法及包含所形成摻雜區之半導體裝置
格羅方德半導體公司
案號 0921051592003-03-11IPC H01L21/22
半導體元件及其製造方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921039062003-02-25IPC H01L21/223