IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
半導體裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921204012003-07-25IPC H01L21/28
具有堆疊閘極結構之半導體裝置製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921200452003-07-23IPC H01L21/28
製造一半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921191492003-07-14IPC H01L21/28
Ｔ閘結構之製造方法及其場效應電晶體
億恆科技股份公司
案號 0921190752003-07-11IPC H01L21/28
銅電鍍方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921190652003-07-11IPC H01L21/283
半導體元件的製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186792003-07-09IPC H01L21/28
擴散反射器、其製造方法、與包含其之顯示裝置
奇美電子股份有限公司
案號 0921180722003-07-02IPC H01L21/283
製作閘極之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921173192003-06-25IPC H01L21/28
半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921173012003-06-25IPC H01L21/288
製作深溝渠電容埋入電極之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921173182003-06-25IPC H01L21/28
半導體積體組件中分佈接觸之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921173402003-06-25IPC H01L21/283
多重閘極介電層的結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921169272003-06-23IPC H01L21/28
用於原子層移除及原子層交換之方法及系統
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921170052003-06-23IPC H01L21/28
製造場效電晶體閘極結構之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921165802003-06-18IPC H01L21/28
製造具有高Ｋ閘極介電質的半導體的方法
英特爾公司
案號 0921147442003-05-30IPC H01L21/28
在原矽基板具有增強自動對準介電區域之絕緣體上矽型半導體裝置之製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921145162003-05-29IPC H01L21/28
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921145492003-05-29IPC H01L21/28
閘極結構以及場效電晶體的製造方法
尚達積體電路股份有限公司
案號 0921145282003-05-29IPC H01L21/28
記憶體及存取元件
歐凡尼克斯股份有限公司
案號 0921144512003-05-28IPC H01L21/28
形成具有存取閘極之半導體裝置之方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0921144232003-05-28IPC H01L21/28