IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
蝕刻矽晶圓之方法
ＭＥＭＣ電子材料公司
案號 0921257322003-09-18IPC H01L21/306
氣體分佈平板
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921255302003-09-16IPC H01L21/3065
電漿蝕刻裝置用構件及其製造方法
信越石英股份有限公司
案號 0921256802003-09-16IPC H01L21/3065
蝕刻液之再生製程、蝕刻製程、以及蝕刻系統
日商龍雲股份有限公司
案號 0921253182003-09-15IPC H01L21/306
用於減少於基板及基板支撐上聚合物沈積之裝置
藍姆研究公司
案號 0921250852003-09-10IPC H01L21/3065
形成奈米尖端陣列的方法
中央研究院
案號 0921245662003-09-05IPC H01L21/3065
清洗保養旋轉蝕刻機之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921245232003-09-04IPC H01L21/3063
矽蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921243582003-09-03IPC H01L21/3065
用於乾蝕刻金屬層後之晶圓放電方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921236932003-08-28IPC H01L21/3065
高深寬比／深蝕刻使用不連續之氣體切換方法的側壁平滑化
尤那西斯美國公司
案號 0921224722003-08-15IPC H01L21/306
具有高深寬比特徵之蝕刻方法
應用材料股份有限公司
案號 0921224152003-08-14IPC H01L21/3065
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921223602003-08-14IPC H01L21/3065
硬式遮罩臨界尺寸修整方法
蘭姆研究公司
案號 0921222872003-08-13IPC H01L21/3065
具有強化晶圓邊緣射頻耦合與高效能晶圓冷卻的電漿反應器之低損耗射頻偏壓電極
應用材料股份有限公司
案號 0921221692003-08-12IPC H01L21/3065
以電磁輻射放射原地監視基底溫度之方法
泛林股份有限公司
案號 0921221652003-08-12IPC H01L21/3065
電漿洗淨裝置
島津製作所股份有限公司
案號 0921219652003-08-11IPC H01L21/3065
蝕刻終點之偵測方法
高級微裝置公司
案號 0921217762003-08-08IPC H01L21/306
蝕刻金屬堆疊中之鋁金屬層前、先蝕刻一含鈦金屬層之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921218822003-08-08IPC H01L21/3065
具有雙重頻率偏壓源與單頻率電漿產生源之蝕刻處理室
應用材料股份有限公司
案號 0921219242003-08-08IPC H01L21/3065
蝕刻法中用於硬化光阻之方法與組合物
泛林股份有限公司
案號 0921216952003-08-07IPC H01L21/3065