IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
清洗保養旋轉蝕刻機之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921245232003-09-04IPC H01L21/3063
矽蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921243582003-09-03IPC H01L21/3065
包含背面研磨之半導體晶圓加工方法
世創電子材料公司
案號 0921243952003-09-03IPC H01L21/304
電漿處理方法及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921239782003-08-29IPC H01L21/302
用於乾蝕刻金屬層後之晶圓放電方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921236932003-08-28IPC H01L21/3065
半導體晶片及其製造方法
新光電氣工業股份有限公司
案號 0921234372003-08-26IPC H01L21/301
圖案形成方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921231772003-08-22IPC H01L21/302
晶圓乾燥方法
弘塑科技股份有限公司
案號 0921230742003-08-21IPC H01L21/304
晶圓清洗及乾燥裝置
弘塑科技股份有限公司
案號 0921230762003-08-21IPC H01L21/304
決定化學機械研磨的過渡研磨時間的方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921230272003-08-21IPC H01L21/304
磁控管電漿用磁場產生裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0921230642003-08-21IPC H01L21/302
顯影方法、基板處理方法及基板處理裝置
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921229012003-08-20IPC H01L21/302
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921226222003-08-18IPC H01L21/302
高深寬比／深蝕刻使用不連續之氣體切換方法的側壁平滑化
尤那西斯美國公司
案號 0921224722003-08-15IPC H01L21/306
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921223602003-08-14IPC H01L21/3065
具有高深寬比特徵之蝕刻方法
應用材料股份有限公司
案號 0921224152003-08-14IPC H01L21/3065
化學機械研磨製程的控制方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921221992003-08-13IPC H01L21/304
防止電流腐蝕的清洗方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921222042003-08-13IPC H01L21/30
硬式遮罩臨界尺寸修整方法
蘭姆研究公司
案號 0921222872003-08-13IPC H01L21/3065
半導體晶圓及製造半導體晶圓之方法
世創電子材料公司
案號 0921222982003-08-13IPC H01L21/304