IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
具有不同厚度之閘極絕緣膜的半導體元件之製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921220972003-08-12IPC H01L21/302
以電磁輻射放射原地監視基底溫度之方法
泛林股份有限公司
案號 0921221652003-08-12IPC H01L21/3065
具有強化晶圓邊緣射頻耦合與高效能晶圓冷卻的電漿反應器之低損耗射頻偏壓電極
應用材料股份有限公司
案號 0921221692003-08-12IPC H01L21/3065
電漿洗淨裝置
島津製作所股份有限公司
案號 0921219652003-08-11IPC H01L21/3065
具有雙重頻率偏壓源與單頻率電漿產生源之蝕刻處理室
應用材料股份有限公司
案號 0921219242003-08-08IPC H01L21/3065
蝕刻終點之偵測方法
高級微裝置公司
案號 0921217762003-08-08IPC H01L21/306
蝕刻金屬堆疊中之鋁金屬層前、先蝕刻一含鈦金屬層之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921218822003-08-08IPC H01L21/3065
半導體晶圓用研磨墊片的加工方法及半導體晶圓用研磨墊片
ＪＳＲ股份有限公司
案號 0921216912003-08-07IPC H01L21/304
蝕刻法中用於硬化光阻之方法與組合物
泛林股份有限公司
案號 0921216952003-08-07IPC H01L21/3065
化學機械研磨後清洗機之裝載座及其應用
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921217332003-08-07IPC H01L21/304
晶圓切割機之線上交替式切割與磨刀方法
博磊科技股份有限公司
案號 0921214002003-08-05IPC H01L21/304
晶圓切割機之刀具的研磨方法
博磊科技股份有限公司
案號 0921213992003-08-05IPC H01L21/301
蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921213002003-08-04IPC H01L21/3065
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921212612003-08-04IPC H01L21/301
晶圓之拋光方法
斯歐埃技術公司
案號 0921210722003-08-01IPC H01L21/304
供電的法拉第屏蔽之電壓調整方法
蘭姆研究公司
案號 0921208732003-07-30IPC H01L21/3065
具有改良式氣體混合手段之濕機台
顯像製造服務股份有限公司
案號 0921207742003-07-30IPC H01L21/306
晶圓研磨定位環
瑞耘科技股份有限公司
案號 0921208352003-07-30IPC H01L21/304
氮化物半導體基板之端緣加工方法
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921206652003-07-29IPC H01L21/304
可辨識正背面之矩形氮化物半導體基板
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921206672003-07-29IPC H01L21/30