IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
切割基板上薄膜的方法
遠東技術學院
案號 0921203062003-07-25IPC H01L21/304
濕式機台及使用此種機台進行的濕式處理製程
奇美電子股份有限公司
案號 0921201862003-07-24IPC H01L21/306
使用基礎材料蝕刻之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921201482003-07-23IPC H01L21/306
圖案形成方法及基板處理裝置
東芝股份有限公司
案號 0921201362003-07-23IPC H01L21/306
用於以化學-機械平坦化處理後之晶圓之清洗
斯歐埃技術公司
案號 0921200932003-07-23IPC H01L21/30
蝕刻方法、蝕刻裝置及半導體裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921201112003-07-23IPC H01L21/304
研磨液以及研磨方法
日立化成工業股份有限公司
案號 0921200532003-07-23IPC H01L21/304
平坦化一半導體晶圓表面之方法
第一晶圓製造（馬來西亞）股份有限公司
案號 0921200762003-07-23IPC H01L21/304
利用障壁及犧牲層之厚度測量及移除之調適性電解拋光
ＡＣＭ研究股份有限公司
案號 0921200012003-07-22IPC H01L21/302
規則排列奈米點陣列的製作方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921199242003-07-22IPC H01L21/306
平坦化製程
茂德科技股份有限公司
案號 0921198052003-07-21IPC H01L21/304
增加介電層與基底間連接強度之結構及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921196252003-07-18IPC H01L21/302
用於乾蝕刻反應室之壓力計感應器的緩衝器
友達光電股份有限公司
案號 0921197022003-07-18IPC H01L21/3065
多層結構之高溫各向異性蝕刻
尤那西斯美國公司
案號 0921196312003-07-18IPC H01L21/306
電漿處理裝置及電漿處理方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921196562003-07-18IPC H01L21/3065
用於形成高縱橫比接觸孔之蝕刻方法及組合物
南亞科技股份有限公司
案號 0921194712003-07-17IPC H01L21/3065
半導體發光裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921195482003-07-17IPC H01L21/306
電解式遮罩鉻膜之蝕刻製程方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921195952003-07-17IPC H01L21/3063
將移轉至支撐基片上之材料之有用層之外緣線平順之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921194542003-07-16IPC H01L21/30
乾蝕刻方法、乾蝕刻氣體及全氟-２-戊炔之製法
日本傑恩股份有限公司
案號 0921193952003-07-16IPC H01L21/3065