IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
製造半導體裝置之接觸墊之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194152003-07-16IPC H01L21/306
模擬裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921192132003-07-15IPC H01L21/304
半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921192712003-07-15IPC H01L21/301
縮小半導體元件之單元間距的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921188282003-07-10IPC H01L21/306
使用背部研磨／切晶帶之系統
東京精密股份有限公司
案號 0921184912003-07-07IPC H01L21/304
具有磁性電漿控制之電容耦合電漿反應器
應用材料股份有限公司
案號 0921185292003-07-07IPC H01L21/3065
處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921184732003-07-07IPC H01L21/3065
反應裝置之可靠性的改善方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921183182003-07-04IPC H01L21/302
被處理體之氧化方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921183812003-07-04IPC H01L21/306
移除晶圓表面微粒裝置及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921182832003-07-04IPC H01L21/302
用於化學機械研磨製程之研磨液
廣潤科技股份有限公司
案號 0921180372003-07-02IPC H01L21/304
製造半導體裝置接觸塞柱之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178152003-06-30IPC H01L21/304
使用電解式無鉛電鍍方法製造之封裝基材及其製造方法（二）
三星電機股份有限公司
案號 0921178402003-06-30IPC H01L21/306
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921176212003-06-27IPC H01L21/306
將相異移除速率應用到基底表面的方法與裝置
科林研發股份有限公司
案號 0921173662003-06-26IPC H01L21/304
電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921172662003-06-25IPC H01L21/3065
用於金屬線之蝕刻劑，使用蝕刻劑製造金屬線的方法，具有金屬線之薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
三星顯示器公司
案號 0921173352003-06-25IPC H01L21/306
減少金屬腐蝕之電化學方法處理基板之裝置與方法
格羅方德半導體公司
案號 0921170622003-06-24IPC H01L21/306
藥液供給裝置
富士通半導體股份有限公司
案號 0921168052003-06-20IPC H01L21/304
基板處理裝置及其處理方法
史派克股份有限公司
案號 0921168102003-06-20IPC H01L21/304