IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
電漿處理反應器
聯華電子股份有限公司
案號 0921074892003-04-02IPC H01L21/3065
碳化矽及低介電常數薄膜之清除方法與裝置
弘塑科技股份有限公司
案號 0921074242003-04-01IPC H01L21/304
表面防護片及電子裝置封裝
３Ｍ新設資產公司
案號 0921073842003-04-01IPC H01L21/304
雙件式循環槽
聯華電子股份有限公司
案號 0921072502003-03-31IPC H01L21/306
蝕刻方法
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921072872003-03-31IPC H01L21/3065
可避免負載效應並控制遮蔽氧化層厚度之蝕刻方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921070542003-03-28IPC H01L21/306
電漿處理裝置用電極及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921068352003-03-26IPC H01L21/3065
微溝構造之形成方法
日本板硝子股份有限公司
案號 0921067612003-03-26IPC H01L21/3065
半導體晶圓表面保護黏著薄膜及使用該黏著薄膜之半導體晶圓保護方法
三井化學東賽璐股份有限公司
案號 0921067632003-03-26IPC H01L21/304
基板處理裝置
斯克林集團公司
案號 0921066332003-03-25IPC H01L21/304
用於製造半導體元件之電漿蝕刻方法與裝置
適應性電漿科技股份有限公司
案號 0921072092003-03-25IPC H01L21/3065
高選擇性比率及高且均勻的電漿處理方法及系統
愛發科股份有限公司
案號 0921066562003-03-25IPC H01L21/3065
電子裝置的製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921066472003-03-25IPC H01L21/306
拋光方法與拋光裝置
新力股份有限公司
案號 0921061642003-03-20IPC H01L21/304
電漿蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060602003-03-19IPC H01L21/3065
電漿處理裝置之真空處理室內零件之靜電抑制方法以及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060502003-03-19IPC H01L21/3065
具有厚度測量系統之自旋蝕刻器
細美事有限公司
案號 0921059492003-03-18IPC H01L21/3063
處理微電子基材邊緣之製程設備及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921059692003-03-18IPC H01L21/302
特別適用於銅雙鑲嵌結構之系統級原位整合介電蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921058362003-03-17IPC H01L21/3065
電解研磨裝置、電解研磨方法及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921057892003-03-17IPC H01L21/306