IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
串聯蝕刻處理室電漿製程系統
應用材料股份有限公司
案號 0921056982003-03-14IPC H01L21/3065
使用減量之液體體積清淨半導體基材之系統及方法
麥特森科技公司
案號 0921054892003-03-13IPC H01L21/30
銅和阻障層之整合化學機械拋光的方法和設備
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0921055432003-03-13IPC H01L21/304
半導體基板、半導體晶片、以及半導體裝置之製造方法
濱松赫德尼古斯股份有限公司
案號 0921052912003-03-12IPC H01L21/304
電漿蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921053572003-03-12IPC H01L21/302
基板的分割方法
濱松赫德尼古斯股份有限公司
案號 0921052932003-03-12IPC H01L21/302
強化之化學機械平坦化用帶
蘭姆研究公司
案號 0921054362003-03-12IPC H01L21/304
晶圓處理中鈍化低介電材料的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921052462003-03-11IPC H01L21/306
半導體元件平坦化方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921049712003-03-07IPC H01L21/304
蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921047102003-03-05IPC H01L21/3065
研磨用組合物及使用該組合物之配線構造的形成方法
福吉米股份有限公司
案號 0921045492003-03-04IPC H01L21/304
金屬斜角蝕刻結構及其製法和以該方法製作薄膜電晶體陣列中源極／汲極及閘極及其結構
友達光電股份有限公司
案號 0921045622003-03-04IPC H01L21/306
半導體晶圓乾式蝕刻用電極
希科學公司
案號 0921043462003-03-03IPC H01L21/3065
半導體晶圓之乾式蝕刻法
姜孝相
案號 0921043452003-03-03IPC H01L21/3065
切割方法，積體電路元件的檢查方法，基板保持裝置及粘著薄膜
東京威力科創股份有限公司
案號 0921044412003-03-03IPC H01L21/304
避免圖案密度效應的金屬層平坦化方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921043852003-03-03IPC H01L21/302
半導體裝置製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921040692003-02-26IPC H01L21/3065
利用蝕刻矽基板表面提高元件發光效率之方法
宇機科技股份有限公司
案號 0921038612003-02-25IPC H01L21/306
電漿蝕刻夾框之改良
友達光電股份有限公司
案號 0921038962003-02-25IPC H01L21/3065
用以清洗及乾燥半導體晶圓之方法及裝置
Ａ技術股份有限公司
案號 0921038762003-02-25IPC H01L21/304