IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
電漿處理單元及高頻電力供應單元
東京威力科創股份有限公司
案號 0931032022004-02-11IPC H01L21/3065
於電漿加工系統中蝕刻時減低光阻扭變的方法
泛林股份有限公司
案號 0931030862004-02-10IPC H01L21/3065
供製造一金屬互連結構之減除方法以及藉此方法所獲致之金屬互連結構
恩智浦股份有限公司
案號 0931029262004-02-09IPC H01L21/30
電漿處理裝置、環構件及電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931029272004-02-09IPC H01L21/302
研磨裝置以及製造積體電路之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0931027972004-02-06IPC H01L21/304
氫氟酸處理系統與方法
友達光電股份有限公司
案號 0931025882004-02-05IPC H01L21/306
基板之切斷方法及基板之切斷裝置
ＴＯＷＡ股份有限公司
案號 0931026482004-02-05IPC H01L21/301
溼式處理裝置
阿爾普士電氣股份有限公司
案號 0931026292004-02-05IPC H01L21/304
電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極板及電極板製造方法
歐克科技股份有限公司
案號 0931024292004-02-03IPC H01L21/3063
分時多工的蝕刻製程中之終點偵測
尤那西斯美國公司
案號 0931023812004-02-03IPC H01L21/3065
拋光含矽介電質之方法
美商ＣＭＣ材料有限責任公司
案號 0931024052004-02-03IPC H01L21/304
基板之切割方法
奇美電子股份有限公司
案號 0931023452004-02-02IPC H01L21/302
濕式蝕刻機化學混合系統
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931021132004-01-30IPC H01L21/306
利用二氧化碳之乾浸沒式微影方法
美國北卡羅利那大學
案號 0931021662004-01-30IPC H01L21/306
ＣＭＰ研磨劑及研磨方法
日立化成工業股份有限公司
案號 0931020962004-01-30IPC H01L21/304
單側式內埋帶之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931018002004-01-28IPC H01L21/306
拋光之半導體晶圓及其製造方法
世創電子材料公司
案號 0931016772004-01-20IPC H01L21/304
絕緣矽基板之加工方法
迪思科股份有限公司
案號 0931018912004-01-20IPC H01L21/302
一種全功能式半導體晶片研磨製程
聯華電子股份有限公司
案號 0931014102004-01-19IPC H01L21/304
製造閘極結構及藉其製造半導體裝置之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931013252004-01-19IPC H01L21/3065