IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
使用非晶碳層於改善光罩之製造方法
高級微裝置公司
案號 0921179232003-07-01IPC H01L21/3205
去除金屬氧化物的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921178772003-06-30IPC H01L21/3213
利用氫植入改善熱擴散製成之矽鍺於絕緣體材料之材料性質
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0921178002003-06-30IPC H01L21/3205
具有可靠性提高之互連線的半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921175942003-06-27IPC H01L21/3205
高深寬比ＳＯＩ結構使用交替沉積蝕刻和脈衝電漿的無刻痕蝕刻
尤那西斯美國公司
案號 0921170712003-06-24IPC H01L21/3213
製造高純度碳化矽結晶中半絕緣電阻率的方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921171202003-06-24IPC H01L21/324
半導體製造裝置用之晶圓固持器及安裝其之半導體製造裝置
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921169812003-06-23IPC H01L21/324
於矽基底上製造Ｓｉ１-ｘ Ｇｅｘ膜之方法
夏普股份有限公司
案號 0921168562003-06-20IPC H01L21/3205
具有應變膜之絕緣層上矽裝置及用於形成應變膜之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921164982003-06-18IPC H01L21/3213
半導體製造裝置
夏普股份有限公司
案號 0921163962003-06-17IPC H01L21/324
導電薄膜形成的方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921158872003-06-11IPC H01L21/3205
金屬鑲嵌製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921157552003-06-10IPC H01L21/3205
矽化金屬層之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921157542003-06-10IPC H01L21/3205
形成阻障層的方法與結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921152172003-06-05IPC H01L21/3205
金屬矽化雙層結構及其形成方法與具有金屬矽化雙層結構之半導體裝置及其形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921150172003-06-03IPC H01L21/324
金屬層的改質方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921150122003-06-03IPC H01L21/324
低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法
國立交通大學
案號 0921146242003-05-29IPC H01L21/324
半導體積體電路裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921138592003-05-22IPC H01L21/321
多重退火製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921136482003-05-20IPC H01L21/324
維持晶圓在理想製程溫度的裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921136452003-05-20IPC H01L21/324