IPC H01L21/336 專利列表
共 42 筆結果
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188772003-07-10IPC H01L21/336
在半導體裝置中形成薄膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188522003-07-10IPC H01L21/336
使用電解式無引線路電鍍方法製造之封裝基材及其製造方法（一）
三星電機股份有限公司
案號 0921178392003-06-30IPC H01L21/336
形成半導體裝置之電晶體之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178172003-06-30IPC H01L21/336
非揮發記憶胞元及製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921173392003-06-25IPC H01L21/336
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921170822003-06-24IPC H01L21/336
使用間隔體沈積技術界定電路元件尺寸之方法
高級微裝置公司
案號 0921164962003-06-18IPC H01L21/336
間隙結構之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921131402003-05-14IPC H01L21/336
避免孔隙產生之溝渠底氧化層形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921084722003-04-11IPC H01L21/336
具有低摻雜區域之薄膜晶體製造方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921074102003-04-01IPC H01L21/336
於通道區域中具有退化摻雜分佈之半導體元件及用於製造該半導體元件之方法
高級微裝置公司
案號 0921059892003-03-19IPC H01L21/336
在半導體裝置之不同含矽區域形成不同矽化物部分之方法
高級微裝置公司
案號 0921039862003-02-26IPC H01L21/336
具有場電極溝槽電晶體胞元之電晶體元件之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921037132003-02-21IPC H01L21/336
場效控制的半導體組件及其製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921032502003-02-17IPC H01L21/336
製造一垂直狀電極之方法及包含此一電極之半導體裝置
柏納Ｅ 麥爾
案號 0921005992003-01-13IPC H01L21/336
平面聚合物電晶體
萬國商業機器公司
案號 0921005222003-01-10IPC H01L21/336
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911380882002-12-31IPC H01L21/336
具有電壓保持區域之高電壓功率金屬氧化半導體場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）的製造方法，該電壓保持區域包含藉由快速擴散所形成之摻雜柱狀物
通用半導體股份有限公司
案號 0911371792002-12-24IPC H01L21/336
薄膜電晶體裝置和其製造方法，及液晶顯示器裝置
夏普股份有限公司
案號 0911367182002-12-19IPC H01L21/336
具有低寄生電阻之溝槽式金屬氧化半導體場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置的形成方法
通用半導體股份有限公司
案號 0911337462002-11-19IPC H01L21/336