IPC H01L21/768 專利列表
共 223 筆結果
半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911370962002-12-24IPC H01L21/768
導孔填充方法
希普列公司
案號 0911367782002-12-20IPC H01L21/768
具有低Ｋ值電介質特性之互連線結構的製造方法
蘭姆研究公司
案號 0911367532002-12-19IPC H01L21/768
使用介電阻障層之金屬製程及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911366892002-12-19IPC H01L21/768
在半導體裝置內形成銅金屬線的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364192002-12-17IPC H01L21/768
在半導體裝置中形成複數層導電線之方法
美格納半導體有限公司
案號 0911364332002-12-17IPC H01L21/768
在半導體裝置形成金屬互連層之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911364282002-12-17IPC H01L21/768
防止位元線之間短路的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0911363012002-12-16IPC H01L21/768
多孔低介電質互連結構
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0911361262002-12-13IPC H01L21/768
微連接器的結構與製作方法
詮興開發科技股份有限公司
案號 0911360722002-12-12IPC H01L21/768
具有改良阻障層接著力之互連構造
高級微裝置公司
案號 0911352582002-12-05IPC H01L21/768
後階段貫孔離散式電路元件及其製作方法
典琦科技股份有限公司
案號 0911351692002-12-04IPC H01L21/768
半導體元件
富士通半導體股份有限公司
案號 0911343542002-11-26IPC H01L21/768
溝填製程
聯華電子股份有限公司
案號 0911342512002-11-26IPC H01L21/768
銅內連線模型的建構方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911342332002-11-25IPC H01L21/768
內連線結構及其形成方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911342252002-11-25IPC H01L21/768
消除銅侵蝕的方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0911341932002-11-25IPC H01L21/768
在快閃記憶體單元中形成自我對準浮動閘極之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330352002-11-11IPC H01L21/768
於半導體裝置中形成金屬線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330142002-11-11IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
考文森智財ＮＢ８６８公司
案號 0911327802002-11-07IPC H01L21/768