IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
控制溝槽頂部尺寸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921146932003-05-30IPC H01L21/76
在半導體層中形成半導體裝置之方法及其結構
恩智浦美國公司
案號 0921141852003-05-26IPC H01L21/762
自我對準接觸窗之側壁間隙壁結構及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921139462003-05-23IPC H01L21/768
互連線之設計方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921139922003-05-23IPC H01L21/768
降低反窄通道效應之淺溝渠隔離製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921139712003-05-23IPC H01L21/76
插塞的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921139632003-05-23IPC H01L21/768
導電插塞之製造方法及半導體裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921138272003-05-22IPC H01L21/768
具有無凹陷與侵蝕之內連線的半導體元件以及製作該半導體元件之方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921135372003-05-20IPC H01L21/768
使溝槽電容之溝槽均勻填入罩幕層的方法及形成具有均勻一致之溝槽電容之下電極的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921134372003-05-19IPC H01L21/76
閘極介電層的製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921131712003-05-15IPC H01L21/762
形成位元線接觸窗之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921130292003-05-14IPC H01L21/768
位元線接觸的充填方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921126482003-05-09IPC H01L21/76
矽覆絕緣結構中蝕刻溝渠的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921126182003-05-08IPC H01L21/76
多厚度半導體互連及其方法
北星創新股份有限公司
案號 0921124562003-05-07IPC H01L21/76
淺溝渠隔離區之結構及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921122892003-05-06IPC H01L21/764
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921123052003-05-06IPC H01L21/768
金屬內連線製程以及填開口的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921122912003-05-06IPC H01L21/768
改善淺溝隔離漏電的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921122102003-05-05IPC H01L21/76
於矽鍺層基底中形成淺溝槽隔離物之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921121062003-05-02IPC H01L21/76
改進位元線和位元線接觸短路的結構與方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921121012003-05-02IPC H01L21/768