IPC H01L21/027 專利列表
共 282 筆結果
一種在晶圓接合後維持微影對準精密度之方法
亞太優勢微系統股份有限公司
案號 0921197172003-07-18IPC H01L21/027
能防止圖案崩壞之半導體裝置
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194132003-07-16IPC H01L21/027
利用氟化氬（ＡｒＦ）曝射光源製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188452003-07-10IPC H01L21/027
聚合物去除方法及聚合物去除設備
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921188512003-07-10IPC H01L21/027
於半導體裝置中形成雙嵌入圖案之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921187142003-07-09IPC H01L21/027
半導體圖案化光阻層之重作製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921185332003-07-07IPC H01L21/027
光罩載具及支撐光罩之方法
美商恩特葛瑞斯股份有限公司
案號 0921181842003-07-03IPC H01L21/027
使用光學反射儀控制蝕刻輪廓中之刻痕或底切程度的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921181202003-07-02IPC H01L21/027
移相光罩、其製造方法及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921180872003-07-02IPC H01L21/027
支撐裝置與其製造方法，載置台裝置以及曝光裝置
尼康股份有限公司
案號 0921175572003-06-27IPC H01L21/027
微細圖型之形成方法
東京應化工業股份有限公司
案號 0921172732003-06-25IPC H01L21/027
自動聚焦測量石印工具之系統及方法
艾斯摩控股股份有限公司
案號 0921172792003-06-25IPC H01L21/027
曝光方法、光罩製造方法、半導體裝置製造方法、及曝光裝置
新力股份有限公司
案號 0921172882003-06-25IPC H01L21/027
微細化圖型用被覆形成劑及使用其形成微細圖型之方法
東京應化工業股份有限公司
案號 0921171582003-06-24IPC H01L21/027
製造微裝置之隔離-濃密效應之特徵化技術
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0921165352003-06-18IPC H01L21/027
標記位置檢測裝置及標記位置檢測方法
尼康股份有限公司
案號 0921163692003-06-17IPC H01L21/027
以光蝕刻在半導體基材上佈局微結構用罩幕之決定方法
億恆科技股份公司
案號 0921160252003-06-12IPC H01L21/027
微影裝置以及元件製造方法
ＡＳＭＬ荷蘭公司
案號 0921158342003-06-11IPC H01L21/027
半導體結構及形成具有縮小間距之電晶體的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921158092003-06-11IPC H01L21/027
防止液體回濺的裝置
友達光電股份有限公司
案號 0921159142003-06-11IPC H01L21/027