IPC H01L21/205 專利列表
共 103 筆結果
用於薄膜沉積設備的蒸餾器
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921193692003-07-16IPC H01L21/205
具有射頻電源供應單元之雙頻式真空沈積設備
顯像製造服務股份有限公司
案號 0921191122003-07-14IPC H01L21/205
半導體製程技術中以非共形沉積鉛直圖案化基板之方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921184292003-07-04IPC H01L21/205
蒸發液體反應物之斷續式供應方法與裝置
荷蘭商ＡＳＭ ＩＰ控股公司
案號 0921181772003-07-03IPC H01L21/205
電漿處理裝置及電漿處理方法，電漿成膜裝置及電漿成膜方法
三菱重工業股份有限公司
案號 0921165412003-06-18IPC H01L21/205
晶圓電位或溫度之測定方法及裝置
三菱重工業股份有限公司
案號 0921163932003-06-17IPC H01L21/205
使用原子層沉積形成二氧化矽層於基底的方法與利用前述方法形成的半導體元件
三星電子股份有限公司
案號 0921163632003-06-17IPC H01L21/205
介電薄膜
應用材料股份有限公司
案號 0921160972003-06-13IPC H01L21/205
在記憶體裝置中形成奈米晶體之方法
美商ＶＬＳＩ科技有限責任公司
案號 0921156882003-06-10IPC H01L21/205
處理裝置之多變量解析模型作成方法、處理裝置用之多變量解析方法、處理裝置之控制裝置、處理裝置之控制系統
東京威力科創股份有限公司
案號 0921152892003-06-05IPC H01L21/205
形成不具孔洞之介電層的溝填方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921148542003-05-30IPC H01L21/205
氣相成長設備
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921144112003-05-28IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法及半導體裝置
日立製作所股份有限公司
案號 0921138872003-05-22IPC H01L21/205
鈍化半導體基底之方法
歐提比太陽能有限公司
案號 0921137432003-05-21IPC H01L21/205
藉由化學汽相沈積以沈積氧化物膜之方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921136282003-05-20IPC H01L21/205
蒸鍍方法，蒸鍍裝置及製造發光裝置的方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921131182003-05-14IPC H01L21/205
原地熱室清潔
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921102022003-04-30IPC H01L21/205
電漿增強型化學氣相沉積系統中改善薄膜均勻度的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921095352003-04-24IPC H01L21/205
在製程中半導體基板之近邊緣區域形成薄膜之方法與裝置
阿奎科技美國股份有限公司
案號 0921092912003-04-22IPC H01L21/205
氧化物電介質膜之汽相生長方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921094262003-04-22IPC H01L21/205