IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
污染物清除方法及半導體裝置製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921024492003-01-30IPC H01L21/306
金屬膜製造裝置及金屬膜製造方法
佳能安內華股份有限公司
案號 0921020082003-01-29IPC H01L21/3065
蝕刻方法以及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921017202003-01-27IPC H01L21/3065
金屬化合物的蝕刻方法以及使用此蝕刻方法製造電晶體之閘極的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921015732003-01-24IPC H01L21/306
氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法
莎姆克股份有限公司
案號 0921015442003-01-24IPC H01L21/3065
感應耦合型電漿蝕刻裝置中使用之氣體擴散板
周星工程股份有限公司
案號 0921012902003-01-21IPC H01L21/3065
陽極化裝置，陽極化方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921012402003-01-21IPC H01L21/306
清潔物件的方法
普雷瑟科技股份有限公司
案號 0921003422003-01-08IPC H01L21/306
蝕刻設備
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921002922003-01-07IPC H01L21/3065
充填隔離溝渠之雙重拉回方法
億恆科技股份有限公司
案號 0921001332003-01-03IPC H01L21/306
乾式蝕刻電極及防蝕方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921000342003-01-02IPC H01L21/306
形成細線路基板之製法
全懋精密科技股份有限公司
案號 0911379592002-12-31IPC H01L21/306
半導體裝置之設計方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911381932002-12-31IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法
聯測科技股份有限公司
案號 0911376422002-12-27IPC H01L21/3065
蝕刻方法及電漿蝕刻處理裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0911375032002-12-26IPC H01L21/3065
電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0911375262002-12-26IPC H01L21/3065
防止鎢插塞腐蝕的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911372672002-12-25IPC H01L21/306
電化學斜邊與邊緣清潔方法及系統
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0911370542002-12-23IPC H01L21/3063
蝕刻在大部份形成在砷化鎵層和銦鎵磷化物（ＩｎxＧａ1-xＰ）層之間的銦鎵砷磷化物（ＩｎＧａＡｓＰ）上的四元介面層的化學
飛思卡爾半導體公司
案號 0911368032002-12-20IPC H01L21/306
電漿薄膜形成設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0911362312002-12-13IPC H01L21/3065