IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
半導體製造裝置之清淨用氣體與清淨方法
昭和電工股份有限公司
案號 0911360002002-12-12IPC H01L21/306
具氮化物肩部高敏感度之自我對位接觸蝕刻
應用材料股份有限公司
案號 0911360222002-12-12IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0911351872002-12-04IPC H01L21/3065
電漿反應器的氣體散流板電極
應用材料股份有限公司
案號 0911351092002-12-03IPC H01L21/3065
電漿反應室之乾式清潔方法
友達光電股份有限公司
案號 0911349442002-12-02IPC H01L21/3065
介電層之選擇性蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0911348982002-11-29IPC H01L21/306
避免矽層蝕刻不均勻的方法
友達光電股份有限公司
案號 0911346752002-11-28IPC H01L21/306
偵測半導體製程中化學溶劑洩漏裝置及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911344532002-11-27IPC H01L21/306
半導體製造裝置及半導體元件製造方法
東部電子股份有限公司
案號 0911343822002-11-26IPC H01L21/306
避免產生弧光效應之形成開口的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341702002-11-25IPC H01L21/3065
蝕刻方法及裝置
國立大學法人東北大學
案號 0911334662002-11-15IPC H01L21/3065
蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0911334152002-11-14IPC H01L21/3065
灰化方法
ＰＳＫ科技公司
案號 0911329772002-11-08IPC H01L21/3065
蝕刻高縱橫比特徵的方法
艾倫 摩森
案號 0911322542002-10-31IPC H01L21/3065
用以設置供電處理製程用之電氣接點的方法與系統
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0911320342002-10-28IPC H01L21/3063
半導體裝置的製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921058302002-01-16IPC H01L21/3065
用於蝕刻在氮化物層上方之氧化物層之氧化物蝕刻方法
應用材料股份有限公司
案號 0921306201999-11-16IPC H01L21/3065