IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
金屬斜角蝕刻結構及其製法和以該方法製作薄膜電晶體陣列中源極／汲極及閘極及其結構
友達光電股份有限公司
案號 0921045622003-03-04IPC H01L21/306
半導體晶圓之乾式蝕刻法
姜孝相
案號 0921043452003-03-03IPC H01L21/3065
半導體晶圓乾式蝕刻用電極
希科學公司
案號 0921043462003-03-03IPC H01L21/3065
半導體裝置製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921040692003-02-26IPC H01L21/3065
利用蝕刻矽基板表面提高元件發光效率之方法
宇機科技股份有限公司
案號 0921038612003-02-25IPC H01L21/306
電漿蝕刻夾框之改良
友達光電股份有限公司
案號 0921038962003-02-25IPC H01L21/3065
含低介電常數絕緣膜之半導體裝置的製造方法
三洋電機股份有限公司
案號 0921037522003-02-24IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
日立全球先端科技股份有限公司
案號 0921035542003-02-20IPC H01L21/3065
使用大氣壓電漿之清淨裝置
雷狄昂技術股份有限公司
案號 0921034532003-02-19IPC H01L21/3065
於多晶矽存在下蝕刻介電材料之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921034602003-02-19IPC H01L21/306
微針頭陣列製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921033152003-02-18IPC H01L21/306
晶片上監視系統
東北泰克諾亞奇股份有限公司
案號 0921033022003-02-18IPC H01L21/3065
晶圓蝕刻製程控制線寬均勻度的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921031212003-02-14IPC H01L21/306
形成氮化層間隙壁之兩階段氮化矽蝕刻
茂德科技股份有限公司
案號 0921031702003-02-14IPC H01L21/3063
用於碟形物件之濕處理的方法
蘭研究公司
案號 0921028822003-02-12IPC H01L21/306
移除負載室內的凝結製程氣體之方法與裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921026012003-02-07IPC H01L21/3065
反應器總成及處理方法
藍姆研究公司
案號 0921024932003-02-07IPC H01L21/3065
低介電常數介電質層的蝕刻方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921024072003-02-06IPC H01L21/3065
薄介電層閘極金屬之高選擇性及無殘餘物蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921024612003-02-06IPC H01L21/3065
開口之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921024572003-02-06IPC H01L21/3063