IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921176212003-06-27IPC H01L21/306
電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921172662003-06-25IPC H01L21/3065
用於金屬線之蝕刻劑，使用蝕刻劑製造金屬線的方法，具有金屬線之薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
三星顯示器公司
案號 0921173352003-06-25IPC H01L21/306
減少金屬腐蝕之電化學方法處理基板之裝置與方法
格羅方德半導體公司
案號 0921170622003-06-24IPC H01L21/306
磁控管電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921168622003-06-20IPC H01L21/3065
碟形物件之濕處理裝置
蘭研究公司
案號 0921168032003-06-20IPC H01L21/306
電漿處理反應器與乾式蝕刻製程
茂德科技股份有限公司
案號 0921159532003-06-12IPC H01L21/3065
具有低電阻值之自行對準矽化物結構及製程方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921160102003-06-12IPC H01L21/306
電子裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921156572003-06-10IPC H01L21/3065
放電電漿處理系統
愛發科股份有限公司
案號 0921157462003-06-10IPC H01L21/306
乾蝕刻過程中偵知終點之方法
半導體系統整合股份有限公司
案號 0921156042003-06-09IPC H01L21/3065
可減少矽流失之去除光阻的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921155892003-06-09IPC H01L21/3065
用於電漿蝕刻反應器之陰極承載座
應用材料股份有限公司
案號 0921151392003-06-03IPC H01L21/3065
磁控管電漿用磁場發生裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0921149302003-06-02IPC H01L21/3065
雙層鑲嵌半導體裝置
夏普股份有限公司
案號 0921147522003-05-30IPC H01L21/3065
結構釋放結構及其製造方法
高通微機電系統科技公司
案號 0921141902003-05-26IPC H01L21/3065
金屬導線的蝕刻方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921138242003-05-22IPC H01L21/306
研磨方法及研磨裝置、以及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921137332003-05-21IPC H01L21/306
乾蝕刻之蝕刻氣體及方法
億恆科技股份公司
案號 0921132622003-05-15IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921131112003-05-14IPC H01L21/3065