IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
電感耦合電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921131262003-05-14IPC H01L21/3065
低介電常數薄膜之電漿表面鈍化改質處理方法
私立逢甲大學
案號 0921130502003-05-14IPC H01L21/306
蝕刻氮化矽薄膜的設備及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921127942003-05-12IPC H01L21/306
於含矽介電材料中蝕刻一溝渠之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921127342003-05-09IPC H01L21/3065
用於電化學機械研磨之導電研磨件
應用材料股份有限公司
案號 0921124892003-05-07IPC H01L21/306
基材加工裝置及基材加工方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921124252003-05-07IPC H01L21/306
側壁保護之選擇性蝕刻方法及應用該方法所組成之結構
華新麗華股份有限公司
案號 0921123742003-05-06IPC H01L21/306
於電漿加工處理室中用於使發弧現象減低至最小程度之裝置與方法
泛林股份有限公司
案號 0921120832003-05-02IPC H01L21/3065
於高密度電漿處理室內蝕刻相對於氧化物具有高選擇性之氮化矽間隙壁之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921120512003-05-01IPC H01L21/3065
蝕刻晶面對準方法
逢源科技股份有限公司
案號 0921099272003-04-28IPC H01L21/3063
半導體結構之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921088512003-04-16IPC H01L21/306
電漿增強半導體晶圓處理室中用以路由電漿之諧波至接地之方法與設備
應用材料股份有限公司
案號 0921087422003-04-15IPC H01L21/3065
用於電漿反應室而具有減少金屬雜質濃度之矽部件
藍姆研究公司
案號 0921083822003-04-11IPC H01L21/306
蝕刻方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0921082972003-04-11IPC H01L21/3065
單晶圓旋轉蝕刻清洗機台之流體收集裝置
弘塑科技股份有限公司
案號 0921083222003-04-10IPC H01L21/306
濕蝕刻裝置
統寶光電股份有限公司
案號 0921082142003-04-10IPC H01L21/306
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921081302003-04-09IPC H01L21/3065
電漿蝕刻之方法及裝置
技鼎股份有限公司
案號 0921079492003-04-08IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0921079092003-04-07IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0921079012003-04-07IPC H01L21/3065