IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921213002003-08-04IPC H01L21/3065
供電的法拉第屏蔽之電壓調整方法
蘭姆研究公司
案號 0921208732003-07-30IPC H01L21/3065
具有改良式氣體混合手段之濕機台
顯像製造服務股份有限公司
案號 0921207742003-07-30IPC H01L21/306
濕式機台及使用此種機台進行的濕式處理製程
奇美電子股份有限公司
案號 0921201862003-07-24IPC H01L21/306
使用基礎材料蝕刻之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921201482003-07-23IPC H01L21/306
圖案形成方法及基板處理裝置
東芝股份有限公司
案號 0921201362003-07-23IPC H01L21/306
規則排列奈米點陣列的製作方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921199242003-07-22IPC H01L21/306
電漿處理裝置及電漿處理方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921196562003-07-18IPC H01L21/3065
用於乾蝕刻反應室之壓力計感應器的緩衝器
友達光電股份有限公司
案號 0921197022003-07-18IPC H01L21/3065
多層結構之高溫各向異性蝕刻
尤那西斯美國公司
案號 0921196312003-07-18IPC H01L21/306
用於形成高縱橫比接觸孔之蝕刻方法及組合物
南亞科技股份有限公司
案號 0921194712003-07-17IPC H01L21/3065
半導體發光裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921195482003-07-17IPC H01L21/306
電解式遮罩鉻膜之蝕刻製程方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921195952003-07-17IPC H01L21/3063
乾蝕刻方法、乾蝕刻氣體及全氟-２-戊炔之製法
日本傑恩股份有限公司
案號 0921193952003-07-16IPC H01L21/3065
製造半導體裝置之接觸墊之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194152003-07-16IPC H01L21/306
縮小半導體元件之單元間距的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921188282003-07-10IPC H01L21/306
具有磁性電漿控制之電容耦合電漿反應器
應用材料股份有限公司
案號 0921185292003-07-07IPC H01L21/3065
處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921184732003-07-07IPC H01L21/3065
被處理體之氧化方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921183812003-07-04IPC H01L21/306
使用電解式無鉛電鍍方法製造之封裝基材及其製造方法（二）
三星電機股份有限公司
案號 0921178402003-06-30IPC H01L21/306