IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
電漿處理系統
能多順股份有限公司
案號 0921077502003-04-04IPC H01L21/3065
蝕刻導通孔之改良方法
尤那西斯美國公司
案號 0921075942003-04-03IPC H01L21/3065
移除光阻及蝕刻殘餘物之方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921076182003-04-03IPC H01L21/3065
電漿處理反應器
聯華電子股份有限公司
案號 0921074892003-04-02IPC H01L21/3065
蝕刻方法
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921072872003-03-31IPC H01L21/3065
雙件式循環槽
聯華電子股份有限公司
案號 0921072502003-03-31IPC H01L21/306
可避免負載效應並控制遮蔽氧化層厚度之蝕刻方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921070542003-03-28IPC H01L21/306
微溝構造之形成方法
日本板硝子股份有限公司
案號 0921067612003-03-26IPC H01L21/3065
電漿處理裝置用電極及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921068352003-03-26IPC H01L21/3065
高選擇性比率及高且均勻的電漿處理方法及系統
愛發科股份有限公司
案號 0921066562003-03-25IPC H01L21/3065
用於製造半導體元件之電漿蝕刻方法與裝置
適應性電漿科技股份有限公司
案號 0921072092003-03-25IPC H01L21/3065
電子裝置的製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921066472003-03-25IPC H01L21/306
電漿處理裝置之真空處理室內零件之靜電抑制方法以及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060502003-03-19IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060602003-03-19IPC H01L21/3065
具有厚度測量系統之自旋蝕刻器
細美事有限公司
案號 0921059492003-03-18IPC H01L21/3063
特別適用於銅雙鑲嵌結構之系統級原位整合介電蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921058362003-03-17IPC H01L21/3065
電解研磨裝置、電解研磨方法及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921057892003-03-17IPC H01L21/306
串聯蝕刻處理室電漿製程系統
應用材料股份有限公司
案號 0921056982003-03-14IPC H01L21/3065
晶圓處理中鈍化低介電材料的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921052462003-03-11IPC H01L21/306
蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921047102003-03-05IPC H01L21/3065