IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
計量多軸壓力坡度用之整合式壓力檢測器
高級微裝置公司
案號 0911374202002-12-26IPC H01L21/304
蝕刻方法及電漿蝕刻處理裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0911375032002-12-26IPC H01L21/3065
防止鎢插塞腐蝕的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911372672002-12-25IPC H01L21/306
於化學機械研磨時朝下施力於晶圓上之方法與設備
蘭姆研究公司
案號 0911374082002-12-25IPC H01L21/304
半導體裝置之基板預清洗方法
周星工程股份有限公司
案號 0911374072002-12-25IPC H01L21/302
保護帶之黏貼、剝離方法
日東電工股份有限公司
案號 0911372472002-12-25IPC H01L21/304
保護帶之黏貼方法及其裝置，及保護帶之剝離方法
日東電工股份有限公司
案號 0911370952002-12-24IPC H01L21/304
電化學斜邊與邊緣清潔方法及系統
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0911370542002-12-23IPC H01L21/3063
使薄半導體層轉變的方法及在該轉變中獲取施體晶圓的方法
斯歐埃技術公司
案號 0911367552002-12-20IPC H01L21/301
蝕刻在大部份形成在砷化鎵層和銦鎵磷化物（ＩｎxＧａ1-xＰ）層之間的銦鎵砷磷化物（ＩｎＧａＡｓＰ）上的四元介面層的化學
飛思卡爾半導體公司
案號 0911368032002-12-20IPC H01L21/306
具有氣泡消除裝置之監測系統及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911369372002-12-20IPC H01L21/304
降低接觸阻抗的方法
中華映管股份有限公司
案號 0911367362002-12-19IPC H01L21/304
可去除半導體晶圓表面銅氧化物及水氣之系統與製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911364892002-12-18IPC H01L21/304
半導體晶圓邊研磨裝置及方法
日本精密研磨股份有限公司
案號 0911363912002-12-17IPC H01L21/304
材料之去除方法、基材之再生方法、顯示裝置之製造方法
美商凱特伊夫公司
案號 0911362742002-12-16IPC H01L21/304
晶圓之切割方法
勝開科技股份有限公司
案號 0911363462002-12-13IPC H01L21/304
電漿薄膜形成設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0911362312002-12-13IPC H01L21/3065
半導體晶圓表面保護用黏著膜及使用該黏著膜之半導體晶圓之背面加工方法
三井化學東賽璐股份有限公司
案號 0911359332002-12-12IPC H01L21/302
具氮化物肩部高敏感度之自我對位接觸蝕刻
應用材料股份有限公司
案號 0911360222002-12-12IPC H01L21/3065
半導體製造裝置之清淨用氣體與清淨方法
昭和電工股份有限公司
案號 0911360002002-12-12IPC H01L21/306