IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
使用固定研磨物以平坦化含ＶＩＩＩ族金屬表面的方法
麥肯科技有限公司
案號 0911355622002-12-09IPC H01L21/304
於超乾淨之空氣中用於蝕刻、清洗及乾燥基板的裝置
法可微科技公司
案號 0911355282002-12-09IPC H01L21/302
電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0911351872002-12-04IPC H01L21/3065
半導體基板之化學溶液處理設備
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911352362002-12-04IPC H01L21/304
電漿反應器的氣體散流板電極
應用材料股份有限公司
案號 0911351092002-12-03IPC H01L21/3065
電漿反應室之乾式清潔方法
友達光電股份有限公司
案號 0911349442002-12-02IPC H01L21/3065
可重複使用的晶圓控片及其形成方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0911349762002-12-02IPC H01L21/302
半導體裝置的製造方法
東芝股份有限公司
案號 0911348442002-11-29IPC H01L21/304
半導體刻紋方法
澳洲國立大學
案號 0911352252002-11-29IPC H01L21/302
高壓處理方法
神戶製鋼所股份有限公司
案號 0911348282002-11-29IPC H01L21/302
清除製程微粒子的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911348992002-11-29IPC H01L21/302
介電層之選擇性蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0911348982002-11-29IPC H01L21/306
避免矽層蝕刻不均勻的方法
友達光電股份有限公司
案號 0911346752002-11-28IPC H01L21/306
偵測半導體製程中化學溶劑洩漏裝置及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911344532002-11-27IPC H01L21/306
液體處理裝置及液體處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0911343602002-11-26IPC H01L21/304
半導體裝置之製造方法及研磨裝置
東芝股份有限公司
案號 0911343102002-11-26IPC H01L21/304
矽晶圓之製造方法及矽晶圓，以及ＳＯＩ晶圓
信越半導體股份有限公司
案號 0911343322002-11-26IPC H01L21/304
半導體製造裝置及半導體元件製造方法
東部電子股份有限公司
案號 0911343822002-11-26IPC H01L21/306
避免產生弧光效應之形成開口的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341702002-11-25IPC H01L21/3065
晶圓表面厚度之均勻值的改善方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341362002-11-22IPC H01L21/302