IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
形成氮氧化物薄膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188692003-07-10IPC H01L21/31
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921187102003-07-09IPC H01L21/31
矽石系有機被膜與其製造方法、以及具備該有機被膜之基材
東京應化工業股份有限公司
案號 0921187262003-07-09IPC H01L21/31
半導體沈積層之平坦化方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921185322003-07-07IPC H01L21/3105
薄板狀保護膜
樫尾超精密無線電工程股份有限公司
案號 0921183082003-07-04IPC H01L21/31
基板之絕緣層結構及其製作方法
銀河光電股份有限公司
案號 0921182952003-07-04IPC H01L21/31
在矽基板中形成絕緣膜的方法
美格納半導體有限公司
案號 0921183192003-07-04IPC H01L21/31
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921183442003-07-04IPC H01L21/31
於一半導體裝置中形成一隔離膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921182172003-07-03IPC H01L21/31
基板上罩幕層之形成方法
億恆科技股份公司
案號 0921182542003-07-03IPC H01L21/31
製造場效應電晶體之超淺接合的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921181212003-07-02IPC H01L21/31
製造一氮化的氧化矽閘極介電之方法
萬國商業機器公司
案號 0921178092003-06-30IPC H01L21/318
半導體裝置之製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921166482003-06-19IPC H01L21/314
無凹槽之溝渠絕緣
茂德科技股份有限公司
案號 0921160192003-06-12IPC H01L21/31
控制摻雜碳之氧化物薄膜的蝕刻偏差之方法
英特爾公司
案號 0921156822003-06-10IPC H01L21/311
一種自動對準金屬矽化物製程
力晶半導體股份有限公司
案號 0921156142003-06-09IPC H01L21/31
反射式空間光調節器鏡子元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921155882003-06-09IPC H01L21/31
層排列及層排列之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921154662003-06-06IPC H01L21/314
使用無氮介電蝕刻停止層之半導體元件及其製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921151802003-06-05IPC H01L21/31
ＯＮＯ介電質及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921150142003-06-03IPC H01L21/31