IPC H01L21/265 專利列表
共 38 筆結果
回復介電層之表面特性的方法及凸塊重繞線製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921146902003-05-30IPC H01L21/265
半導體基板之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921121452003-05-02IPC H01L21/265
佈植一基材之方法與執行此方法之離子佈植機
應用材料股份有限公司
案號 0921082692003-04-10IPC H01L21/265
用於利用短時間的熱製程之薄膜層的化學形成之方法
維瑞安半導體設備公司
案號 0921080792003-04-09IPC H01L21/265
用於在一半導體形成一接合面之方法及用於將一摻雜物植入一半導體之方法
瓦里安半導體設備聯合公司
案號 0921074172003-04-01IPC H01L21/265
離子佈植系統
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921072032003-03-28IPC H01L21/265
具有非對稱雙口袋佈植區之電晶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921057782003-03-17IPC H01L21/265
使用多層埋設非晶層的絕緣體上覆半導體之金氧場效電晶體接面降解方法
高級微裝置公司
案號 0921041582003-02-27IPC H01L21/265
將碳化矽薄層轉移至接受基質之方法
斯歐埃技術公司
案號 0921014862003-01-23IPC H01L21/265
鬆弛矽化鍺基體之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921012572003-01-21IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921004292003-01-09IPC H01L21/265
形成半導體裝置ＥＰＩ通道之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380132002-12-31IPC H01L21/265
離子植入裝置及離子植入方法
日新意旺機器股份有限公司
案號 0911357232002-12-10IPC H01L21/265
一種利用非晶矽及氧化層堆疊形成奈米級超淺接面之製程
國立交通大學
案號 0911356152002-12-10IPC H01L21/265
形成不同摻質型矽連線之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911352672002-12-05IPC H01L21/265
貼合晶圓及貼合晶圓的製造方法
信越半導體股份有限公司
案號 0911348202002-11-29IPC H01L21/265
減少粒子生成和表面附著力同時維持高熱傳係數之聚合物表面的模製方法
艾克塞利斯科技公司
案號 0911326992002-11-06IPC H01L21/265
編碼佈植製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0911325532002-11-05IPC H01L21/265