IPC H01L21/265 專利列表
共 38 筆結果
連體（ＢＯＤＹ-ＴＩＥＤ）絕緣體上半導體（ＳＯＩ）電晶體及其製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0931056592004-03-04IPC H01L21/265
製作半導體元件接面區域之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931012742004-01-16IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921355422003-12-16IPC H01L21/265
電漿摻雜方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921335632003-11-28IPC H01L21/265
精確控制離子佈值濃度之方法及同步控制壓力補償因子之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921307622003-11-04IPC H01L21/265
經二次植入而於基板中形成脆弱區域之方法
原子能委員會
案號 0921306312003-11-03IPC H01L21/265
離子佈植裝置
行政院原子能委員會核能研究所
案號 0921270862003-09-30IPC H01L21/265
測量離子束角度之方法
維瑞安半導體設備公司
案號 0921254502003-09-16IPC H01L21/265
改善高壓元件結構的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251532003-09-12IPC H01L21/265
利用逆向離子植入方式形成高壓互補式金氧半導體之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251492003-09-12IPC H01L21/265
形成高密度非揮發性記憶體編碼的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921232582003-08-25IPC H01L21/265
使用射極多晶矽蝕刻光罩進行接觸佈植之ＢＩＣＭＯＳ製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921211842003-08-01IPC H01L21/265
用以轉移電氣主動薄膜之方法
原子能委員會
案號 0921195252003-07-17IPC H01L21/265
製造一半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921191522003-07-14IPC H01L21/265
金屬矽化物與其製造方法與半導體元件的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921188252003-07-10IPC H01L21/265
用於離子束植入機之可調整植入角之工件支撐結構
艾克塞利斯科技公司
案號 0921186902003-07-09IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
悠美瑟日本股份有限公司
案號 0921172212003-06-25IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921168582003-06-20IPC H01L21/265
掩模及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921163902003-06-17IPC H01L21/265
執行免散射至鄰近區域之深植入方法
億恆科技股份公司
案號 0921153082003-06-05IPC H01L21/265