IPC H01L21/3065 專利列表
共 120 筆結果
高選擇性比率及高且均勻的電漿處理方法及系統
愛發科股份有限公司
案號 0921066562003-03-25IPC H01L21/3065
用於製造半導體元件之電漿蝕刻方法與裝置
適應性電漿科技股份有限公司
案號 0921072092003-03-25IPC H01L21/3065
電漿處理裝置之真空處理室內零件之靜電抑制方法以及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060502003-03-19IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060602003-03-19IPC H01L21/3065
特別適用於銅雙鑲嵌結構之系統級原位整合介電蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921058362003-03-17IPC H01L21/3065
串聯蝕刻處理室電漿製程系統
應用材料股份有限公司
案號 0921056982003-03-14IPC H01L21/3065
蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921047102003-03-05IPC H01L21/3065
半導體晶圓乾式蝕刻用電極
希科學公司
案號 0921043462003-03-03IPC H01L21/3065
半導體晶圓之乾式蝕刻法
姜孝相
案號 0921043452003-03-03IPC H01L21/3065
半導體裝置製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921040692003-02-26IPC H01L21/3065
電漿蝕刻夾框之改良
友達光電股份有限公司
案號 0921038962003-02-25IPC H01L21/3065
含低介電常數絕緣膜之半導體裝置的製造方法
三洋電機股份有限公司
案號 0921037522003-02-24IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
日立全球先端科技股份有限公司
案號 0921035542003-02-20IPC H01L21/3065
使用大氣壓電漿之清淨裝置
雷狄昂技術股份有限公司
案號 0921034532003-02-19IPC H01L21/3065
晶片上監視系統
東北泰克諾亞奇股份有限公司
案號 0921033022003-02-18IPC H01L21/3065
反應器總成及處理方法
藍姆研究公司
案號 0921024932003-02-07IPC H01L21/3065
移除負載室內的凝結製程氣體之方法與裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921026012003-02-07IPC H01L21/3065
低介電常數介電質層的蝕刻方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921024072003-02-06IPC H01L21/3065
薄介電層閘極金屬之高選擇性及無殘餘物蝕刻製程
應用材料股份有限公司
案號 0921024612003-02-06IPC H01L21/3065
金屬膜製造裝置及金屬膜製造方法
佳能安內華股份有限公司
案號 0921020082003-01-29IPC H01L21/3065