IPC H01L21/3065 專利列表
共 120 筆結果
蝕刻方法以及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921017202003-01-27IPC H01L21/3065
氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法
莎姆克股份有限公司
案號 0921015442003-01-24IPC H01L21/3065
感應耦合型電漿蝕刻裝置中使用之氣體擴散板
周星工程股份有限公司
案號 0921012902003-01-21IPC H01L21/3065
蝕刻設備
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921002922003-01-07IPC H01L21/3065
半導體裝置之設計方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911381932002-12-31IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法
聯測科技股份有限公司
案號 0911376422002-12-27IPC H01L21/3065
蝕刻方法及電漿蝕刻處理裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0911375032002-12-26IPC H01L21/3065
電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0911375262002-12-26IPC H01L21/3065
電漿薄膜形成設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0911362312002-12-13IPC H01L21/3065
具氮化物肩部高敏感度之自我對位接觸蝕刻
應用材料股份有限公司
案號 0911360222002-12-12IPC H01L21/3065
電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0911351872002-12-04IPC H01L21/3065
電漿反應器的氣體散流板電極
應用材料股份有限公司
案號 0911351092002-12-03IPC H01L21/3065
電漿反應室之乾式清潔方法
友達光電股份有限公司
案號 0911349442002-12-02IPC H01L21/3065
避免產生弧光效應之形成開口的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911341702002-11-25IPC H01L21/3065
蝕刻方法及裝置
國立大學法人東北大學
案號 0911334662002-11-15IPC H01L21/3065
蝕刻方法及電漿蝕刻裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0911334152002-11-14IPC H01L21/3065
灰化方法
ＰＳＫ科技公司
案號 0911329772002-11-08IPC H01L21/3065
蝕刻高縱橫比特徵的方法
艾倫 摩森
案號 0911322542002-10-31IPC H01L21/3065
半導體裝置的製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921058302002-01-16IPC H01L21/3065
用於蝕刻在氮化物層上方之氧化物層之氧化物蝕刻方法
應用材料股份有限公司
案號 0921306201999-11-16IPC H01L21/3065